• на главную страницу
  • сейчас выбран русский язык
  • страница на английском языке отсутствует

НАУЧНАЯ СЕССИЯ

Отделения нанотехнологий и информационных технологий
Российской академии наук (ОНИТ РАН)

Элементная база информационно-вычислительных и управляющих систем

Научный руководитель - академик РАН Красников Геннадий Яковлевич

Заседание №2 от 28 февраля 2018 года

Начало заседания: 11:00

Место проведения: конференц-зал ВЦ РАН им. А.А. Дородницына по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, 40, корп. 2, 3-й этаж.

ПРОГРАММА СЕССИИ

Вступительное слово академика-секретаря ОНИТ РАН академика РАН А.Л. Стемпковского
1.Академик РАН Г.Я. Красников. Направления развития транзисторных структур в современной микроэлектронике. АО "НИИМЭ".
2.Член-корр. РАН А.В. Двуреченский, к. ф.-м. н. А.Ф. Зиновьева, к. ф.-м. н. А.В. Ненашев. Спиновые явления в кремниевых структурах с квантовыми точками. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова.
3.Член-корр. РАН С.А. Никитов, д. ф.-м. н. А.С. Дмитриев, д. ф.-м. н. С.В. Зайцев-Зотов, д. ф.-м. н. А.А. Зинченко, д. ф.-м. н. В.П. Кошелец, д. ф.-м. н. М.В. Логунов. Элементная база для перспективных информационно-вычислительных систем на базе новых материалов и физических принципов. ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН.
4.Академик РАН Г.Я. Красников, академик РАН А.А. Горбацевич, Н.М. Шубин. Элементная база молекулярной электроники на квантовых эффектах.. АО «НИИМЭ», ФИАН им.П.Н. Лебедева, МИЭТ.
5.Д. ф.-м. н. В.П. Попов, д. ф.-м. н. В.А. Гриценко, к. ф.-м. н. И.Е. Тысченко. Элементная база многофункциональной электроники на основе ПДП, МДП и МДМ структур (FeFET, eRAM, RRAM, FRAM). ИФП СО РАН.
6.Член-корр. РАН В.Ф. Лукичев, д.ф-м.н. К.В. Руденко. Исследования в области технологии транзисторных структур с затвором HkMG и критическими размерами до 10 нм.. ФТИАН РАН.
7.Д. т. н. Е.С. Горнев, к. ф.-м. н. А.В. Зенкевич. Альтернативные концепции резистивной и сегнетоэлектрической памяти: статус и перспективы. АО «НИИМЭ», МФТИ.
8.Д. т. н. Я.Я. Петричкович. Когнитивные процессоры, новый вызов. АО «НПЦ ЭЛВИС».
9.Академик РАН Ю.А. Чаплыгин, д. т. н. М.А. Королев, к. т. н. А.С. Ключников, Д.И. Ефимова. Планарный КНИ беспереходный МОП-транзистор. МИЭТ.
10.Д. ф.-м. н. Д.В. Рощупкин. Пьезо- и сегнетоэлектрические кристаллы: современное состояние и перспективы. ИПТМ РАН.
11.Д. ф.-м. н. А.Д. Буравлев. Молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на кремнии.. С-Пб АУ РАН.
12.Академик РАН А.Л. Асеев, академик РАН А.В. Латышев, член-корр. РАН И.Г. Неизвестный, член-корр. РАН И.И. Рябцев, к. ф.-м. н. И.И. Бетеров, к. ф.-м. н. Д.Б. Третьяков, к. ф.-м. н. В.М. Энтин, Е.А. Якшина. Элементная база квантовой информатики с одиночными атомами и фотонами. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова.
13.К. ф.-м. н. С.В. Михайлович, к. т. н. А.Ю. Павлов. «Цифровое» травление барьерного слоя AlGaN/AlN/GaN HEMT в технологическом цикле изготовления нитрид галлиевых МИС высокой функциональной сложности». ИСВЧПЭ РАН.